| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (maks): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | TO-220AB |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 11A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 150W (Tc) |
| emballasje: | Tube |
| Pakke / tilfelle: | TO-220-3 |
| Andre navn: | *IRF640N IRF640N IRF640N-ND SP001522470 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 1160pF @ 25V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 67nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 10V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 200V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 200V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
