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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
同上@ VGS(TH)(最大): | 1V @ 250µA |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 53 mOhm @ 4.9A, 10V |
電力 - 最大: | 1.13W, 1.2W |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | SI4532ADY-T1-GE3CT |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 16nC @ 10V |
FETタイプ: | N and P-Channel |
FET特長: | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
詳細な説明: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 3.7A, 3A |
Email: | [email protected] |