| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| серия: | TrenchFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 53 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Мощност - макс: | 1.13W, 1.2W |
| Опаковка: | Cut Tape (CT) |
| Пакет / касета: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Други имена: | SI4532ADY-T1-GE3CT |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | - |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
| Тип FET: | N and P-Channel |
| FET Feature: | Logic Level Gate |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 30V |
| Подробно описание: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 3.7A, 3A |
| Email: | [email protected] |
