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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 30V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 1.4V @ 30mA, 300mA |
トランジスタ型式: | 2 NPN, 2 PNP |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-116 |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 650mW |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
他の名前: | MPQ6426 |
運転温度: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
周波数 - トランジション: | 200MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP 30V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 30 @ 300mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 30nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 500mA |
Email: | [email protected] |