| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 30V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 1.4V @ 30mA, 300mA |
| نوع الترانزستور: | 2 NPN, 2 PNP |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-116 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 650mW |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | MPQ6426 |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد - تحول: | 200MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP 30V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 30 @ 300mA, 10V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 30nA (ICBO) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
