GSID200A120S3B1
部品型番:
GSID200A120S3B1
メーカー:
Global Power Technologies Group
説明:
SILICON IGBT MODULES
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
53660 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
GSID200A120S3B1.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1200V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大):2V @ 15V, 200A
サプライヤデバイスパッケージ:D3
シリーズ:Amp+™
電力 - 最大:1595W
パッケージ/ケース:D-3 Module
運転温度:-40°C ~ 150°C
NTCサーミスタ:No
装着タイプ:Chassis Mount
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(量Cies)@ Vceは:20nF @ 25V
入力:Standard
IGBTタイプ:-
詳細な説明:IGBT Module 2 Independent 1200V 400A 1595W Chassis Mount D3
電流 - コレクタ遮断(最大):1mA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):400A
コンフィギュレーション:2 Independent
Email:[email protected]

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