GSID100A120T2C1
部品型番:
GSID100A120T2C1
メーカー:
Global Power Technologies Group
説明:
SILICON IGBT MODULES
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
61698 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
GSID100A120T2C1.pdf

簡潔な

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1200V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大):2.1V @ 15V, 100A
サプライヤデバイスパッケージ:Module
シリーズ:Amp+™
電力 - 最大:640W
パッケージ/ケース:Module
運転温度:-40°C ~ 150°C
NTCサーミスタ:Yes
装着タイプ:Chassis Mount
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(量Cies)@ Vceは:13.7nF @ 25V
入力:Three Phase Bridge Rectifier
IGBTタイプ:-
詳細な説明:IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 200A 640W Chassis Mount Module
電流 - コレクタ遮断(最大):1mA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):200A
コンフィギュレーション:Three Phase Inverter
Email:[email protected]

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