FDMD8900
FDMD8900
部品型番:
FDMD8900
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET 2N-CH 30V POWER
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
41035 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
FDMD8900.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:12-Power3.3x5
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):4 mOhm @ 19A, 10V
電力 - 最大:2.1W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:12-PowerWDFN
他の名前:FDMD8900TR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:39 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2605pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:35nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Standard
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):19A, 17A
Email:[email protected]

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