FDMD86100
FDMD86100
部品型番:
FDMD86100
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET 2N-CH 100V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
55260 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
FDMD86100.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-Power 5x6
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):10.5 mOhm @ 10A, 10V
電力 - 最大:2.2W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerWDFN
他の名前:FDMD86100TR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:39 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2060pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:30nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特長:Standard
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):10A
Email:[email protected]

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