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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
電圧 - テスト: | 4640pF @ 25V |
電圧 - ブレークダウン: | TO-3PN |
同上@ VGS(TH)(最大): | 41 mOhm @ 34.5A, 10V |
Vgs(最大): | 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | UniFET™ |
RoHSステータス: | Tube |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 69A (Tc) |
偏光: | TO-3P-3, SC-65-3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 6 Weeks |
製造元の部品番号: | FDA69N25 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 100nC @ 10V |
IGBTタイプ: | ±30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 5V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 250V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 250V |
静電容量比: | 480W (Tc) |
Email: | [email protected] |