APTM120H57FT3G
部品型番:
APTM120H57FT3G
メーカー:
Microsemi
説明:
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
73629 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
1.APTM120H57FT3G.pdf2.APTM120H57FT3G.pdf

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規格

状況 New and Original
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配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):5V @ 2.5mA
サプライヤデバイスパッケージ:SP3
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):684 mOhm @ 8.5A, 10V
電力 - 最大:390W
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:SP3
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:5155pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:187nC @ 10V
FETタイプ:4 N-Channel (H-Bridge)
FET特長:Standard
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1200V (1.2kV)
詳細な説明:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):17A
Email:[email protected]

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