APTM120DA30T1G
部品型番:
APTM120DA30T1G
メーカー:
Microsemi
説明:
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
76447 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
1.APTM120DA30T1G.pdf2.APTM120DA30T1G.pdf

簡潔な

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):5V @ 2.5mA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:SP1
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):360 mOhm @ 25A, 10V
電力消費(最大):657W (Tc)
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:SP1
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:32 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:14560pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:560nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1200V
詳細な説明:N-Channel 1200V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):31A (Tc)
Email:[email protected]

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