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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 150V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 1V @ 1mA, 10mA |
トランジスタ型式: | NPN |
サプライヤデバイスパッケージ: | LSTM |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 800mW |
パッケージング: | Tape & Box (TB) |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 200MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 200MHz 800mW Through Hole LSTM |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 80 @ 10mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 50mA |
Email: | [email protected] |