| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 150V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 1V @ 1mA, 10mA |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | LSTM |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 800mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
| حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 200MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 200MHz 800mW Through Hole LSTM |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 80 @ 10mA, 5V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 100nA (ICBO) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
