GSID600A120S4B1
Modello di prodotti:
GSID600A120S4B1
fabbricante:
Global Power Technologies Group
Descrizione:
SILICON IGBT MODULES
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
60628 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
GSID600A120S4B1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.1V @ 15V, 600A
Contenitore dispositivo fornitore:Module
Serie:Amp+™
Potenza - Max:3060W
Contenitore / involucro:Module
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C
Termistore NTC:Yes
Tipo montaggio:Chassis Mount
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:51nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
Descrizione dettagliata:IGBT Module Half Bridge 1200V 1130A 3060W Chassis Mount Module
Corrente - Cutoff collettore (max):1mA
Corrente - collettore (Ic) (max):1130A
Configurazione:Half Bridge
Email:[email protected]

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