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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-IGBTs-módulos > GSID600A120S4B1
GSID600A120S4B1
Número de pieza:
GSID600A120S4B1
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descripción:
SILICON IGBT MODULES
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
60628 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
GSID600A120S4B1.pdf
Investigación

Introducción

GSID600A120S4B1 mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de GSID600A120S4B1, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para GSID600A120S4B1 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 600A
Paquete del dispositivo:Module
Serie:Amp+™
Potencia - Max:3060W
Paquete / Cubierta:Module
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C
termistor NTC:Yes
Tipo de montaje:Chassis Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce:51nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
Descripción detallada:IGBT Module Half Bridge 1200V 1130A 3060W Chassis Mount Module
Corriente - corte del colector (Max):1mA
Corriente - colector (Ic) (Max):1130A
Configuración:Half Bridge
Email:[email protected]

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