FDB86363-F085
FDB86363-F085
Modello di prodotti:
FDB86363-F085
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
63234 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDB86363-F085.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.4 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:FDB86363-F085TR
FDB86363_F085
FDB86363_F085TR
FDB86363_F085TR-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:10000pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione dettagliata:N-Channel 80V 110A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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