FDB86135
FDB86135
Modello di prodotti:
FDB86135
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
90783 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDB86135.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:3.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.4W (Ta), 227W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:FDB86135CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7295pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:116nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 75A (Tc) 2.4W (Ta), 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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