Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - RF > NE3514S02-A
NE3514S02-A
NE3514S02-A
Nomor bagian:
NE3514S02-A
Pabrikan:
CEL (California Eastern Laboratories)
Deskripsi:
HJ-FET NCH 10DB S02
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
71368 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
1.NE3514S02-A.pdf2.NE3514S02-A.pdf
Penyelidikan

pengantar

NE3514S02-A harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk NE3514S02-A, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk NE3514S02-A melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Tegangan - Uji:2V
Tegangan - Nilai:4V
transistor Jenis:HFET
Paket Perangkat pemasok:S02
Seri:-
Listrik - Output:-
Pengemasan:Strip
Paket / Case:4-SMD, Flat Leads
Nama lain:NE3514S02A
kebisingan Gambar:0.75dB
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Mendapatkan:10dB
Frekuensi:20GHz
Detil Deskripsi:RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 10dB S02
Peringkat saat ini:70mA
Saat ini - Uji:10mA
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk NE3514S02-A

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
NE3511S02-T1C-A Image NE3511S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) IC AMP RF LNA 13.5DB S02 Penyelidikan
NE3520S03-T1C-A Image NE3520S03-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 Penyelidikan
NE3513M04-A Image NE3513M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD Penyelidikan
NE3510M04-T2-A Image NE3510M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 Penyelidikan
NE3514S02-T1C-A Image NE3514S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 10DB S02 Penyelidikan
NE3515S02-T1C-A Image NE3515S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 Penyelidikan
NE3512S02-A Image NE3512S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Penyelidikan
NE3517S03-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 Penyelidikan
NE3510M04-A Image NE3510M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 Penyelidikan
NE3515S02-A Image NE3515S02-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 Penyelidikan
NE3509M04-T2-A Image NE3509M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ SOT-343 Penyelidikan
NE3516S02-A Image NE3516S02-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX Penyelidikan
NE3520S03-A Image NE3520S03-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 Penyelidikan
NE3516S02-T1C-A Image NE3516S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX Penyelidikan
NE3521M04-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI Penyelidikan
NE3511S02-A Image NE3511S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Penyelidikan
NE3513M04-T2B-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD Penyelidikan
NE3515S02-T1D-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 Penyelidikan
NE3513M04-T2-A Image NE3513M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD Penyelidikan
NE3512S02-T1C-A Image NE3512S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Penyelidikan

Latest Berita