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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > NE3514S02-A
NE3514S02-A
NE3514S02-A
Número de pieza:
NE3514S02-A
Fabricante:
CEL (California Eastern Laboratories)
Descripción:
HJ-FET NCH 10DB S02
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
71368 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.NE3514S02-A.pdf2.NE3514S02-A.pdf
Investigación

Introducción

NE3514S02-A mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de NE3514S02-A, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para NE3514S02-A por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:2V
Tensión - Calificación:4V
Tipo de transistor:HFET
Paquete del dispositivo:S02
Serie:-
Alimentación - Salida:-
embalaje:Strip
Paquete / Cubierta:4-SMD, Flat Leads
Otros nombres:NE3514S02A
Figura de ruido:0.75dB
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:10dB
Frecuencia:20GHz
Descripción detallada:RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 10dB S02
Valoración actual:70mA
Corriente - Prueba:10mA
Email:[email protected]

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