| Feltétel | New and Original |
|---|---|
| Eredet | Contact us |
| Elosztó | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 500µA |
| Vgs (Max): | ±18V |
| Technológia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Szállító eszközcsomag: | PQFN (8x8) |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 10A, 8V |
| Teljesítményleadás (Max): | 81W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | 4-PowerDFN |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 720pF @ 480V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.2nC @ 4.5V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 8V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 650V |
| Részletes leírás: | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
