| Feltétel | New and Original |
|---|---|
| Eredet | Contact us |
| Elosztó | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | D-PAK (TO-252AA) |
| Sorozat: | E |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 114W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | SIHD12N50E-GE3CT SIHD12N50E-GE3CT-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 886pF @ 100V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 550V |
| Részletes leírás: | N-Channel 550V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 10.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
