SIHB12N60ET1-GE3
SIHB12N60ET1-GE3
Cikkszám:
SIHB12N60ET1-GE3
Gyártó:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Leírás:
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Mennyiség:
63366 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Adatlap:
SIHB12N60ET1-GE3.pdf

Bevezetés

SIHB12N60ET1-GE3 legjobb ár és gyors szállítás.
BOSER Technology az SIHB12N60ET1-GE3 forgalmazója, a készletek azonnali szállításra és a hosszú távú ellátásra is rendelkezésre állnak. Kérjük, küldje el nekünk az SIHB12N60ET1-GE3 vásárlási tervét e-mailben.
E-mailünk: [email protected]

Műszaki adatok

Feltétel New and Original
Eredet Contact us
Elosztó Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-263 (D²Pak)
Sorozat:E
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 6A, 10V
Teljesítményleadás (Max):147W (Tc)
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:937pF @ 100V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:58nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):600V
Részletes leírás:N-Channel 600V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások