| Feltétel | New and Original |
|---|---|
| Eredet | Contact us |
| Elosztó | Boser Technology |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tranzisztor típusú: | PNP - Pre-Biased |
| Szállító eszközcsomag: | TO-92-3 |
| Sorozat: | - |
| Ellenállás - emitteralap (R2): | 2.2 kOhms |
| Ellenállás - alap (R1): | 2.2 kOhms |
| Teljesítmény - Max: | 500mW |
| Csomagolás: | Tape & Box (TB) |
| Csomagolás / tok: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Más nevek: | 934059142126 PDTB123ES AMO PDTB123ES AMO-ND |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 50mA, 5V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 500mA |
| Alap rész száma: | PDTB123 |
| Email: | [email protected] |
