NSVMUN5211DW1T3G
NSVMUN5211DW1T3G
Cikkszám:
NSVMUN5211DW1T3G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
TRANS 2NPN PREBIAS 50V SOT363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Ólommentes / RoHS megfelelő
Mennyiség:
55997 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Adatlap:
NSVMUN5211DW1T3G.pdf

Bevezetés

NSVMUN5211DW1T3G legjobb ár és gyors szállítás.
BOSER Technology az NSVMUN5211DW1T3G forgalmazója, a készletek azonnali szállításra és a hosszú távú ellátásra is rendelkezésre állnak. Kérjük, küldje el nekünk az NSVMUN5211DW1T3G vásárlási tervét e-mailben.
E-mailünk: [email protected]

Műszaki adatok

Feltétel New and Original
Eredet Contact us
Elosztó Boser Technology
Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tranzisztor típusú:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Szállító eszközcsomag:SC-88/SC70-6/SOT-363
Sorozat:-
Ellenállás - emitteralap (R2):10 kOhms
Ellenállás - alap (R1):10 kOhms
Teljesítmény - Max:250mW
Csomagolás:Original-Reel®
Csomagolás / tok:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Más nevek:NSVMUN5211DW1T3GOSDKR
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:40 Weeks
Ólommentes állapot / RoHS állapot:Lead free / RoHS Compliant
Frekvencia - Átmenet:-
Részletes leírás:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):500nA
Áram - kollektor (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások