| Feltétel | New and Original |
|---|---|
| Eredet | Contact us |
| Elosztó | Boser Technology |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 100V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Tranzisztor típusú: | PNP |
| Szállító eszközcsomag: | DPAK |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 1.56W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | NJVMJD32CT4G NJVMJD32CT4G-ND NJVMJD32CT4G-VF01OSTR NJVMJD32CT4GOSTR NJVMJD32CT4GOSTR-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 15 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | 3MHz |
| Részletes leírás: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 10 @ 3A, 4V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 20µA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 3A |
| Alap rész száma: | MJD32C |
| Email: | [email protected] |
