| Feltétel | New and Original |
|---|---|
| Eredet | Contact us |
| Elosztó | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.8V @ 25µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | DIRECTFET™ SH |
| Sorozat: | HEXFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 62 mOhm @ 5A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | DirectFET™ Isometric SH |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.7nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
| Részletes leírás: | N-Channel 100V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
