| Feltétel | New and Original |
|---|---|
| Eredet | Contact us |
| Elosztó | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-262 |
| Sorozat: | HEXFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 44 mOhm @ 16A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 130W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Más nevek: | *IRF540NLPBF SP001571292 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1960pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 71nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
| Részletes leírás: | N-Channel 100V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 33A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
