| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V, 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A |
| Transistor Type: | NPN, PNP |
| Package composant fournisseur: | 8-MLP (3x2) |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | ZXTDC3M832TATR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 165MHz, 190MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V, 40V 4A, 3A 165MHz, 190MHz 1W Surface Mount 8-MLP (3x2) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 25nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 4A, 3A |
| Numéro de pièce de base: | ZXTDC3M832 |
| Email: | [email protected] |
