ZXMN3AM832TA
ZXMN3AM832TA
Modèle de produit:
ZXMN3AM832TA
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
44200 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
ZXMN3AM832TA.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Package composant fournisseur:8-MLP (3x2)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 2.5A, 10V
Puissance - Max:1.13W
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-VDFN Exposed Pad
Autres noms:ZXMN3AM832CT
ZXMN3AM832TA-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:190pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:3.9nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.13W Surface Mount 8-MLP (3x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.9A
Email:[email protected]

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