ZXMN3A02X8TC
ZXMN3A02X8TC
Modèle de produit:
ZXMN3A02X8TC
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
68207 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
ZXMN3A02X8TC.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-MSOP
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max):1.1W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:26.8nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-MSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5.3A (Ta)
Email:[email protected]

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