W632GG6MB15I
W632GG6MB15I
Modèle de produit:
W632GG6MB15I
Fabricant:
Winbond Electronics Corporation
La description:
IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
69836 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
W632GG6MB15I.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.425 V ~ 1.575 V
La technologie:SDRAM - DDR3
Package composant fournisseur:96-VFBGA (13x7.5)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:96-VFBGA
Température de fonctionnement:-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:2Gb (128M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 667MHz 20ns 96-VFBGA (13x7.5)
Fréquence d'horloge:667MHz
Temps d'accès:20ns
Email:[email protected]

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