US6J11TR
Modèle de produit:
US6J11TR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
53060 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.US6J11TR.pdf2.US6J11TR.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Package composant fournisseur:UMT6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Puissance - Max:320mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.4nC @ 4.5V
type de FET:2 P-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):12V
Description détaillée:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 320mW Surface Mount UMT6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.3A
Numéro de pièce de base:*J11
Email:[email protected]

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