UMN10NTR
Modèle de produit:
UMN10NTR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
73877 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.UMN10NTR.pdf2.UMN10NTR.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.2V @ 100mA
Tension - inverse (Vr) (max):80V
Package composant fournisseur:UMD6
La vitesse:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):4ns
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:UMN10NCT
Température d'utilisation - Jonction:150°C (Max)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Configuration diode:3 Independent
Description détaillée:Diode Array 3 Independent Standard 80V 100mA Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Courant - fuite, inverse à Vr:100nA @ 70V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):100mA
Numéro de pièce de base:MN10
Email:[email protected]

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