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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - tableaux > UMH3NFHATN
UMH3NFHATN
Modèle de produit:
UMH3NFHATN
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
53937 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.UMH3NFHATN.pdf2.UMH3NFHATN.pdf
Enquête

introduction

UMH3NFHATN meilleur prix et livraison rapide.
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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:UMT6
Séries:Automotive, AEC-Q101
Puissance - Max:150mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:UMH3NFHATNCT
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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