ULN2004AFWG,N,E
Modèle de produit:
ULN2004AFWG,N,E
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
77801 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
ULN2004AFWG,N,E.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Transistor Type:7 NPN Darlington
Package composant fournisseur:16-SOL
Séries:-
Puissance - Max:1.25W
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:ULN2004AFWG(5ELMCT
ULN2004AFWG(5ELMCT-ND
ULN2004AFWG(O,NEHZCT
ULN2004AFWG(O,NEHZCT-ND
ULN2004AFWG(OELMCT
ULN2004AFWG(OELMCT-ND
ULN2004AFWGNECT
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 1.25W 16-SOL
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):50µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Numéro de pièce de base:ULN200*A
Email:[email protected]

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