TSM60N600CI C0G
TSM60N600CI C0G
Modèle de produit:
TSM60N600CI C0G
Fabricant:
TSC (Taiwan Semiconductor)
La description:
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A ITO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
79164 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
TSM60N600CI C0G.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:ITO-220
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max):83W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Autres noms:TSM60N600CI C0G-ND
TSM60N600CIC0G
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:743pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole ITO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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