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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > TPH3208PD
TPH3208PD
TPH3208PD
Modèle de produit:
TPH3208PD
Fabricant:
Transphorm
La description:
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
67964 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
TPH3208PD.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur:TO-220
Séries:-
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 8V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 20A (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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