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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > TP2104N3-G-P003
TP2104N3-G-P003
Modèle de produit:
TP2104N3-G-P003
Fabricant:
Micrel / Microchip Technology
La description:
MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
35481 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
TP2104N3-G-P003.pdf
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introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-92-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):740mW (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:5 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:60pF @ 25V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:P-Channel 40V 175mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:175mA (Tj)
Email:[email protected]

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