TK16N60W,S1VF
TK16N60W,S1VF
Modèle de produit:
TK16N60W,S1VF
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
85727 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
TK16N60W,S1VF.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.7V @ 790µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247
Séries:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 7.9A, 10V
Dissipation de puissance (max):130W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:TK16N60W,S1VF(S
TK16N60WS1VF
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 300V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Super Junction
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:15.8A (Ta)
Email:[email protected]

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