TK13E25D,S1X(S
Modèle de produit:
TK13E25D,S1X(S
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
69758 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.TK13E25D,S1X(S.pdf2.TK13E25D,S1X(S.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:250 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):102W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:TK13E25DS1X(S
TK13E25DS1XS
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):250V
Description détaillée:N-Channel 250V 13A (Ta) 102W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:13A (Ta)
Email:[email protected]

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