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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > THGAF8T0T43BAIR
THGAF8T0T43BAIR
Modèle de produit:
THGAF8T0T43BAIR
Fabricant:
Toshiba Memory America, Inc.
La description:
128GB VER. 2.1 UFS UNIVERSAL FLA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
90771 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
THGAF8T0T43BAIR.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:2.7 V ~ 3.6 V
La technologie:FLASH - NAND
Package composant fournisseur:153-VFBGA (11.5x13)
Séries:Consumer UFS
Emballage:Tray
Package / Boîte:153-VFBGA
Autres noms:THGAF8T0T43BAIRH2L
Température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:1Tb (128G x 8)
Interface mémoire:UFS
Format de mémoire:FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NAND Memory IC 1Tb (128G x 8) UFS 153-VFBGA (11.5x13)
Email:[email protected]

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