TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6
Modèle de produit:
TC58BYG0S3HBAI6
Fabricant:
Toshiba Memory America, Inc.
La description:
IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
31475 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
TC58BYG0S3HBAI6.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:25ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.95 V
La technologie:FLASH - NAND (SLC)
Package composant fournisseur:67-VFBGA (6.5x8)
Séries:Benand™
Emballage:Tray
Package / Boîte:67-VFBGA
Autres noms:TC58BYG0S3HBAI6JDH
TC58BYG0S3HBAI6YCJ
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:1Gb (128M x 8)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
Temps d'accès:25ns
Email:[email protected]

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