STP6N90K5
STP6N90K5
Modèle de produit:
STP6N90K5
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
Quantité:
72870 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.STP6N90K5.pdf2.STP6N90K5.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220
Séries:MDmesh™ K5
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.1 Ohm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max):110W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:497-17074
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:42 Weeks
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):900V
Description détaillée:N-Channel 900V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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