STP35N60DM2
STP35N60DM2
Modèle de produit:
STP35N60DM2
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 600V 28A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
82657 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
STP35N60DM2.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220
Séries:MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs:110 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max):210W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:497-16359-5
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 28A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

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