STGWA75M65DF2
STGWA75M65DF2
Modèle de produit:
STGWA75M65DF2
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
64833 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
STGWA75M65DF2.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 75A
Condition de test:400V, 75A, 3.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:47ns/125ns
énergie de commutation:690µJ (on), 2.54mJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247 Long Leads
Séries:M
Temps de recouvrement inverse (trr):165ns
Puissance - Max:468W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:497-16975
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:225nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 650V 120A 468W Through Hole TO-247 Long Leads
Courant - Collecteur pulsée (Icm):225A
Courant - Collecteur (Ic) (max):120A
Email:[email protected]

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