STGW60H65DFB
STGW60H65DFB
Modèle de produit:
STGW60H65DFB
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
IGBT 650V 80A 375W TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
57100 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
STGW60H65DFB.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2V @ 15V, 60A
Condition de test:400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:51ns/160ns
énergie de commutation:1.09mJ (on), 626µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):60ns
Puissance - Max:375W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:497-14367
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:306nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm):240A
Courant - Collecteur (Ic) (max):80A
Email:[email protected]

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