STB200N6F3
STB200N6F3
Modèle de produit:
STB200N6F3
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
55148 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
STB200N6F3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D2PAK
Séries:STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.6 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max):330W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:497-10025-1
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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