SQJ956EP-T1_GE3
SQJ956EP-T1_GE3
Modèle de produit:
SQJ956EP-T1_GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Quantité:
77211 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SQJ956EP-T1_GE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:PowerPAK® SO-8 Dual
Séries:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:26.7 mOhm @ 5.2A, 10V
Puissance - Max:34W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:PowerPAK® SO-8 Dual
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1395pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 23A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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