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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > SQ4949EY-T1_GE3
SQ4949EY-T1_GE3
Modèle de produit:
SQ4949EY-T1_GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Quantité:
80088 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SQ4949EY-T1_GE3.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-SOIC
Séries:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 5.9A, 10V
Puissance - Max:3.3W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1020pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
type de FET:2 P-Channel (Dual)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7.5A (Tc)
Email:[email protected]

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